SSD Samsung 850 EVO 250GB 2.5-Inch SATA III

Giá bán 2.280.000₫

Giá gốc 2.450.000₫-7%

Thương hiệu: Samsung

Mã sản phẩm: ssd250 | Tình trạng: Còn hàng

Mô tả:

  • Chuẩn SSD: 2.5 inches
  • Tốc độ đọc: 540 MB/s
  • Tốc độ ghi: 520 MB/s
  • Công nghệ 3D V-NAND Technology
  • Tối ưu hóa tốc độ lên mức tối đa
Hotline: 0962470011
Chấp nhận thanh toán Chấp nhận thanh toán Chấp nhận thanh toán Chấp nhận thanh toán

Ổ cứng SSD Samsung 850 EVO là sự lựa chọn tốt nhất năm dành cho game thủ cả về giá và hiệu năng hoạt động được khẳng định và đánh giá chi tiết bởi các tạp chí công nghệ hàng đầu thế giới như Cnet, thessdreview, the PC World. TweakTown..

Công nghệ 3D V-NAND Technology
Công nghệ 3D V-NAND của Samsung chính là bước đột phá về kiến trúc bộ nhớ Flash bằng việc làm tăng mật độ, hiệu suất, và giới hạn về sự chịu đựng của kiến trúc NAND phẳng thông thường hiện nay. Công nghệ Samsung 3D V-NAND sắp xếp 32 lớp tế bào Cell theo chiều dọc làm tăng mật độ Cell cao hơn và hiệu suất tốt hơn.

Tối ưu hóa tốc độ lên mức tối đa
Đạt hiệu suất đọc/ghi đáng kinh ngạc, giúp bạn hoàn thành công việc hàng ngày của bạn nhanh chóng với công nghệ TurboWrite của Samsung. Với công nghệ mới này, hiệu suất Samsung 850 EVO được tăng lên 1.9 lần so với 840 Evo. Ổ cứng SSD Samsung 850 EVO mang đẳng cấp hàng đầu về tốc độ đọc (540MB/s) và ghi (520Mb/s). Ngoài ra, tối ưu hóa hiệu suất ngẫu nhiên IOPs lên đến 100k.

Sức chịu đựng và độ tin cậy
Ổ cứng SSD Samsung 850 EVO tăng gấp đôi độ bền và độ tin cậy so với thế hệ trước 840 EVO và có chế độ bảo hành 5 năm tại MemoryZone. Với độ tin cậy cao, ổ cứng SSD Samsung 850 EVO đảm bảo hiệu suất đáng tin cậy lâu hơn so với thế hệ trước đó 840 EVO lên đến 30%.

Cải thiện năng lượng hiệu quả
Ổ cứng SSD Samsung 850 EVO làm gia tăng tuổi thọ pin lâu hơn trên máy tính xách tay của bạn với một bộ điều khiển được thiết kế và tối ưu hóa cho công nghệ 3D V-NAND, hỗ trợ Device-Sleep cho Windows với mức tiêu thụ điện chỉ 2mW. Ổ cứng SSD Samsung 850 EVO tiêu thụ năng lượng ít hơn 25% so với 840 EVO trong các hoạt động ghi nhờ công nghệ siêu hiệu quả 3D V-NAND, chỉ tốn một nửa năng lượng hơn so với Planar 2D NAND truyền thống.